北京方面近日披露了一系列新一代雷达技术进展，这些技术基于氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga ₂ O ₃）等先进半导体材料，被视为中国在电子战与空中探测领域竞争中的一次重大跨越。
本文是土耳其《国防工业》网站发布的一篇文章，由本人翻译并分享给大家。翻译此文章只是为了转述外国人员表达的一些看法，并非本人观点，希望大家能够理解。
据相关专业报告显示，中国沈阳航空工业集团研制的外贸型隐身战斗机歼 -35AE，配备的雷达系统采用了氮化镓芯片技术。相比传统的砷化镓雷达，这种新材料能够显著提升发射功率与目标探测能力，从而在探测距离与精度方面取得更大优势。
相关信息指出，美国在开发同类雷达时正面临技术与后勤的双重挑战，具体包括能源供应、散热冷却以及原材料的保障问题，尤其是在中国对镓和锗实施出口管制之后。此外，将此类雷达整合到现役战斗机上，还需要进行复杂的结构改造。
然而，更大的惊喜来自中国研究人员公布的一项进展：基于氧化镓材料的雷达取得了突破。这种材料能在缩小雷达体积的同时，提升发射功率并扩大探测距离。有分析人士认为，这项技术更具革命性，实现了比氮化镓技术更进一步的跨越。氧化镓雷达可以做得更小巧、更高效且难以被侦测，同时还能整合到不同代的战斗机上，全面提升作战能力。
与此同时，中国还在积极研发更为先进的 κ 相氧化镓芯片，这种芯片能将发射单元和数据处理模块集成在一个体积小、性能高的单一模组中。这一进展或将使中国战斗机战机能够在与对手相同的空间内，搭载功率更强的雷达。
观察人士认为，中国释放的信息已超出技术范畴：针对芯片设计软件的封锁并未阻止中国前进的步伐，反而促使其加强本土研究，加速了国产替代方案的开发。这使得未来几年内的雷达技术竞争变得愈发错综复杂。
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